Ⅱ-Ⅵ族(ZnO,CdSe)納米材料的合成及其在光電探測領域的應用.pdf

1、本文的研究內(nèi)容主要分為兩個部分:一、ZnO納米材料的制備及其在光電探測領域內(nèi)的應用;二、基于CdSe材料的光電導探測器的研制。
　　Part A ZnO納米材料的制備及其在光電探測領域內(nèi)的應用
　　本部分的研究工作與成果如下:
　　一:研究不同激光能量密度的248nm脈沖激光對ZnO材料的影響，發(fā)現(xiàn)隨著能量密度的增加，制備的ZnO薄膜材料的結構發(fā)生變化，當能量密度達到2.5J/cm2時，ZnO薄膜變成納米片結構材料，其

2、原因可能是來自高能量密度激光產(chǎn)生的非線性效應。
　　二:分析研究了金屬Zn薄膜在不同的條件下氧化得到ZnO材料的特性，提出金屬Zn氧化法制備ZnO生長模型。通過控制氧化的時間、溫度以及采用金作為催化劑，分別獲得了卷曲狀、棒狀、片狀以及仙人球狀結構的大面積均勻的ZnO納米材料。
　　三:研究了溫度、溶液濃度、催化劑對水熱法生長ZnO納米線的影響。通過化學法制備了ZnS/ZnO異質(zhì)結3D納米結構材料。首次使用水熱法成功在grap

3、hene材料表面生長ZnO納米線，分析graphene襯底對生長ZnO納米材料質(zhì)量的影響，在此基礎上制備了金屬半導體金屬結構的紫外光電探測器，結果表明石墨烯對該探測器性能的改善具有明顯的作用。
　　Part B 基于CdSe材料的光電導探測器
　　本部分通過使用Lithographically Pattemed Nanowire Electrodeposition(LPNE)方法生長CdSe納米材料。此部分的研究工作如下:<

4、br>　　一:用電化學法成功制備了新型Au-CdSe-Au core-multishell同軸納米線光電導探測器，此結構器件具有在不增加兩個電極之間距離的同時可獲得盡可能大的光敏面積的特性。當CdSe厚度約為250nm時，該器件的增益為2172，響應度209A·W-1，響應時間17μs，恢復時間為96μs。
　　二:首次通過電化學方法在CdSe納米線上生長不同密度均勻的Au納米顆粒，并研究其對單根CdSe納米線光電導器件的影響。當