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文檔簡介
1、ZnO作為II-VI族直接寬禁帶半導(dǎo)體材料,在室溫下的禁帶寬度約為3.37eV,對應(yīng)紫外波段的光子能量,且ZnO具有較高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,較強的抗輻射損傷能力,來源豐富,電子誘生缺陷較低等特點,適用于制備高性能的紫外探測器。而ZnO在摻雜后形成的合金可調(diào)節(jié)其禁帶寬度,并與ZnO的晶格失配度及熱膨脹系數(shù)差別較小,可構(gòu)成量子阱或超晶格結(jié)構(gòu)被廣泛地應(yīng)用于光電器件中,提高光電性能,所以帶隙工程的開展有利于推進實用的高性能的ZnO基光電器件的開發(fā)
2、。尤其是對于ZnO基紫外探測器件,ZnO基三元合金具有可調(diào)控其探測波段到日盲區(qū)的特點,在此基礎(chǔ)上所實現(xiàn)的紫外探測器在軍事和民用領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。
基于此,本文采用摻雜的方式調(diào)制ZnO的禁帶寬度,使ZnO基三元合金材料的光學(xué)禁帶寬度達到4.4eV以上,獲得可用于日盲紫外光波段探測的ZnO基光電探測器;同時,通過控制摻雜技術(shù)開發(fā)ZnO基異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu),可應(yīng)用于高性能的紫外光電發(fā)射探測器件。論文的主要內(nèi)容和創(chuàng)新性結(jié)果如下:
3、1.采用溶膠—凝膠方法制備了Mg、Cd、Al摻雜的ZnO基三元合金薄膜,并對其微結(jié)構(gòu)和光電性能進行研究,分析其摻雜效率和光學(xué)禁帶調(diào)制效應(yīng),獲得摻雜對 ZnO薄膜禁帶寬度調(diào)制的規(guī)律,并從不同元素?fù)诫s引起Zn3d電子結(jié)合能變化的角度探討了其禁帶調(diào)制的機理。
2.采用射頻磁控濺射法制備AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,研究不同摻Al濃度對其微結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)的影響規(guī)律,研究表明:Al濃度增大到20at%會導(dǎo)致ZnO纖鋅礦結(jié)構(gòu)的消失
4、,表明摻Al的固溶度在20at%以內(nèi),而當(dāng)摻Al濃度達到30at%則出現(xiàn)新的晶相;且隨摻Al濃度增加,薄膜中晶粒細(xì)化,電阻率大幅上升;通過改變Al組分可較大地展寬光學(xué)帶隙,在Al濃度為30at%時帶隙被展寬至4.43eV。
3.探討氧氣氛對AZO合金薄膜導(dǎo)電性的影響,并通過對其微結(jié)構(gòu)和光電特性的研究發(fā)現(xiàn):濺射過程中通入少量氧氣有利于獲得結(jié)晶質(zhì)量較好的c軸擇優(yōu)取向薄膜;而純氬氣氛下濺射的薄膜具有很低的電阻率,拉曼測試和SEM分析
5、表明其存在特殊的內(nèi)建電場和c軸取向平行于膜面的晶粒;濺射過程中氧分壓的增加會導(dǎo)致薄膜的絕緣性能增強;其透光譜顯示光學(xué)吸收邊發(fā)生明顯藍移。
4.研究AZO合金薄膜的光電響應(yīng)性能,結(jié)果表明:摻入Al可抑制ZnO薄膜中氧空位缺陷的形成,Al濃度的增大使得薄膜的絕緣性能增強,有利于實現(xiàn)暗電流低的光電探測器件,提高其光暗電流比,尤其是可以抑制慢速的氧氣吸附和解吸附反應(yīng),從而提高器件的響應(yīng)速度。獲得的快速響應(yīng)的AZO探測器在紫外光照下顯示
6、出對稱的非線性特征,即采用元件替代方法將光敏電阻應(yīng)用于蔡氏電路時,在變型蔡氏電路中可產(chǎn)生三渦旋光電混沌吸引子。
5.研究摻Al對AZO薄膜表面勢壘和功函數(shù)的影響,通過對不同Al濃度AZO合金薄膜的C-V測試,獲得其表面接觸勢壘高度隨Al濃度增加而減小的規(guī)律;分別從理論計算和I-V-T測試擬合研究了5at%摻Al對ZnO薄膜表面功函數(shù)的影響,兩種方式獲得的表面功函數(shù)值分別下降了0.09eV和0.098eV。以上研究結(jié)果表明摻Al
7、使得AZO薄膜的費米能級上移至導(dǎo)帶,從而形成較小的表面勢壘,有利于電子從表面逸出。
6.研究將AlxZn1-xO薄膜用于實現(xiàn)NEA紫外光電陰極,制作AZO陰極真空光電管,其光暗電流相差兩個數(shù)量級以上。采用高導(dǎo)電AZO薄膜作為透明導(dǎo)電底電極,在其上誘導(dǎo)生長陽離子空位為主導(dǎo)的AZO納米晶表面層,由以上摻雜調(diào)制技術(shù)獲得的AZO異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)陰極材料,因為底電極和陰極膜同屬AZO材料體系,界面間結(jié)合緊密,并能有效實現(xiàn)能帶調(diào)制,具有良好的
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