高壓碳化硅功率整流器的優(yōu)化設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料作為第三代半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高電子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿電場(chǎng)的“四高”特性，特別適合制作大功率、高溫、抗輻照的電力電子器件。4H-SiC功率整流器，如肖特基二極管（SBD）和結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管（JBS），在高效能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面具有很大的潛力，但由于受到曲率效應(yīng)的嚴(yán)重影響，4H-SiC材料的高耐壓特性沒(méi)有充分發(fā)揮出來(lái)。
　　本論文針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，運(yùn)用降低表面電場(chǎng)效應(yīng)理論（Resurf理論）和結(jié)

2、終端技術(shù)，開(kāi)展了4H-SiC功率整流器（JBS和SBD）的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化與流片實(shí)驗(yàn)研究，獲得了擊穿電壓1200V的多層刻蝕JTE的新型結(jié)終端結(jié)構(gòu)。本論文的主要內(nèi)容為：
　　1.設(shè)計(jì)優(yōu)化4H-SiC SBD和4H-SiC JBS功率整流器的元胞結(jié)構(gòu)，得到SBD和JBS結(jié)構(gòu)中漂移區(qū)的厚度與摻雜濃度、P+注入?yún)^(qū)長(zhǎng)度與濃度以及注入深度與器件電學(xué)特性的優(yōu)化關(guān)系。
　　2.設(shè)計(jì)優(yōu)化4H-SiC SBD和4H-SiC JBS功率整流器的結(jié)終