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文檔簡介
1、近年來,發(fā)光二極管發(fā)展迅速,但是AlGaInPLEDs低下的外量子效率嚴(yán)重制約了其在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域里的廣泛發(fā)展,本文主要針對如何提高紅光LED的發(fā)光效率進(jìn)行了研究。通過對磷化鎵基LED的表面粗化,改變了那些滿足光全反射定律的光傳播方向,使光發(fā)射到另一表面或反射回到原表面時,光不會發(fā)生全反射進(jìn)而透過界面,這樣就提高了LED的出光效率。
本文利用了濕法腐蝕和干法腐蝕,對紅光LED外延片進(jìn)行了表面粗化。濕法腐蝕分別利用熔融態(tài)的KOH
2、和KOH-乙二醇溶液對AlGaInP基紅光LED外延片進(jìn)行了表面粗化處理。干法利用了ICP對外延片進(jìn)行了刻蝕處理。研究了粗化溫度、粗化時間對LED外延片表面形貌的影響,并利用原子力顯微鏡(AFM)、半導(dǎo)體芯片自動測試系統(tǒng)對LED器件的相關(guān)性能(形貌、I-V特性曲線、亮度和主波長)進(jìn)行了表征。比較了粗化前后的LED亮度和電流特性變化。測試結(jié)果表明:利用熔融態(tài)的KOH對AlGaInP基紅光LED外延片進(jìn)行表面粗化,可以有效地抑制了光在通過L
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