4H-SiC厚膜外延工藝研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來 SiC高壓大功率器件的研究日益受到關(guān)注。制備幾千伏的SiC功率器件需要高質(zhì)量 SiC厚膜外延層,而現(xiàn)有的5μm/h的外延生長速率已經(jīng)不能滿足生長時間的要求。本文進行了4H-SiC快速外延工藝的研究。通過改變生長時間、生長源流量、生長溫度、生長氣壓以及載氣流量來研究這些生長條件對生長速率、厚度均勻性以及結(jié)晶質(zhì)量的影響。
  本文使用水平熱壁低壓化學(xué)氣相淀積技術(shù)在2英寸偏4°的(0001)硅面N型導(dǎo)電4H-SiC襯底,對其在不

2、同生長條件下進行同質(zhì)外延生長。FTIR厚度測試和X射線衍射的測試的結(jié)果表明:在SiH4流量為50 ml/min,載氣流量為70 L/min時,生長速率最大,達到13.0μm/h;SiH4(C/Si比為1)流量為39 ml/min時,結(jié)晶質(zhì)量較好,XRD半高寬為16.3053 arcsec,厚度均勻性為0.32%,此時生長速率為9.4771μm/h;生長氣壓越低,XRD半高寬越小,結(jié)晶質(zhì)量越好。
  通過結(jié)論分析,在快速生長速率下,

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