4H-SiC功率BJT器件特性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩83頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、第三代寬禁帶半導體材料碳化硅(Silicon Carbide)具有高擊穿電場、高飽和漂移速度和高熱導率的特性。因此 SiC功率器件在大功率、高溫及抗輻照應用中具有很廣闊的前景。其中SiC BJT器件導通電阻低、耐高溫及較快的開關(guān)速度等特點得到了很多的關(guān)注。
  本文通過二維數(shù)值仿真軟件Silvaco Atlas來研究4H-SiC BJT的特性。首先簡要介紹了用于仿真的物理模型,并根據(jù)相關(guān)文獻中的實驗數(shù)據(jù)給出物理模型中所需的參數(shù)。根

2、據(jù)已有的優(yōu)化后的4H-SiC BJT基本結(jié)構(gòu),研究了器件的正向特性及反向特性。其中具體分析了4H-SiC BJT器件的反向擊穿特性,并針對擊穿問題,對4H-SiC BJT使用并優(yōu)化了場限環(huán)、場板結(jié)構(gòu)。優(yōu)化后的場限環(huán)結(jié)深0.4μm、環(huán)摻雜濃度2×1018cm-3,可以將器件的擊穿電壓提高到1470V。場板結(jié)構(gòu)主要考慮了普通場板與臺階型場板結(jié)構(gòu),優(yōu)化了場板結(jié)構(gòu)中金屬電極的長度,以及氧化層的厚度,最終擊穿電壓達到1475V左右。
  對

3、于4H-SiC BJT外基區(qū)表面界面態(tài)導致的復合電流問題,提出了兩種結(jié)構(gòu)來抑制該復合電流。一種結(jié)構(gòu)是外基區(qū)重摻雜結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)通過濃度差異產(chǎn)生內(nèi)建電場,內(nèi)建電場阻止電子向外基區(qū)表面擴散,該結(jié)構(gòu)優(yōu)化后重摻雜濃度為8×1018cm-3、摻雜深度為0.2μm,最大電流增益可以達到46。另一種結(jié)構(gòu)是外基區(qū)鈍化層負離子注入結(jié)構(gòu),負離子引起的電場調(diào)制外基區(qū)表面勢,減小少子濃度,降低載流子復合率,從而提高電流增益。該結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的最大電流增益為44。最

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論