4H-SiC外延生長原位刻蝕工藝的研究.pdf

1、碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料，相比傳統(tǒng)半導體材料具有寬禁帶，高擊穿電場，抗高溫，抗輻射等優(yōu)異特性，在一些需要在嚴苛環(huán)境下工作的器件之中應用前景廣闊，廣受國內外關注。而在商用SiC材料之中，4H-SiC材料由于具有較高的電子遷移率和較低的各向異性，則更加矚目。而大功率4H-SiC器件與傳統(tǒng)半導體器件相比具有很強的競爭力，可以廣泛應用于如航空航天，石油地質探測，軍用武器系統(tǒng)，交通運輸?shù)戎匾I域中。
　　外延層薄膜生長是4H-S

2、iC器件制造的關鍵工藝，對制造出的器件質量優(yōu)劣有著重要的影響。而通過化學氣相沉積法（CVD）可以很好控制4H-SiC外延層生長的厚度，摻雜，生長速率，晶體質量等，故而主要運用CVD法來制造4H-SiC外延薄膜。原位刻蝕是在CVD生長工藝開始之前的一項重要步驟，通過原位刻蝕可以使SiC襯底在生長之前擁有很好的表面形貌和表面平整度，對后續(xù)生長4H-SiC外延薄膜的質量有著直接影響。
　　本文主要研究通過改變原位刻蝕條件，得到更利于后續(xù)

3、外延層生長的襯底表面形貌。對于零度偏角襯底，當刻蝕時間過短（5min）時，襯底表面刻蝕出的生長臺階過窄；當刻蝕時間過長（15min）時，襯底表面刻蝕出的生長臺階不夠均勻，臺階高低差過大。當刻蝕溫度過高（1500℃、1600℃）時，刻蝕出的生長臺階會出現(xiàn)過窄和極度不均勻情況。實驗結果表明：采用刻蝕溫度1400℃，刻蝕時間10min，刻蝕壓強100mbar，流量20+40L/min的刻蝕條件對零度偏角襯底進行原位刻蝕，可以得到較好的表面形貌

4、，刻蝕臺階均勻，適宜于后續(xù)生長。
　　對于4°偏角襯底，當刻蝕時間過短（5min）時，刻蝕出的襯底表面出現(xiàn)表面沉積離子沒有很好消除的情況；當刻蝕時間過長（15min）時，刻蝕出的襯底表面由于過刻蝕產生溝壑。當刻蝕溫度選取1500℃時，刻蝕表面臺階效果最為均勻，表面平整度最好。實驗結果表明：采用刻蝕溫度1500℃，刻蝕時間10min，刻蝕壓強100mbar，流量20+40L/min的刻蝕條件進行4°偏角襯底原位刻蝕，可以得到較好的表