2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、功率放大器是電子系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊，第三代半導(dǎo)體材料SiC以其功率密度大、寬禁帶的性能，可用于制作大柵寬SiC MESFET功率器件。
　　本文應(yīng)用我國(guó)最新研制的大柵寬SiC MESFET，基于功率放大、寬帶匹配以及功率合成的相關(guān)理論，設(shè)計(jì)了L波段的大功率寬頻帶功率放大模塊，包括一個(gè)AB類(lèi)單管功率放大器和一個(gè)AB類(lèi)兩路功率合成放大器。首先用HFSS仿真軟件對(duì)SiC MESFET的封裝管殼和鍵合金絲進(jìn)行了建模仿真，將管殼模型和SiC M

2、ESFET的管芯模型合成為完整的封裝SiC MESFET器件模型。接著根據(jù)完整的封裝SiC MESFET器件模型，解決了0.8GHz到1.6GHz一個(gè)倍頻程的寬帶大功率放大器設(shè)計(jì)的難題，設(shè)計(jì)出了0.8GHz到1.6GHz的單管功率放大模塊。測(cè)試結(jié)果表明，此功率放大模塊最大輸出功率在1000MHz頻點(diǎn)可以達(dá)到32.1W。在單路放大模塊的基礎(chǔ)上，本文設(shè)計(jì)了0.8GHz到1.6GHz頻帶的功率合成網(wǎng)絡(luò)，并制作了一個(gè)此頻帶內(nèi)AB類(lèi)兩路功率合成放

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