基于SiC MESFET寬帶功率放大器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、現(xiàn)代無線通信技術(shù)的發(fā)展,對射頻功率放大器提出了越來越高的要求,如更寬的帶寬,更大的輸出功率等。而SiC MESFET的高的飽和電子速度、高的擊穿電壓、低的輸出電容、很高的工作溫度以及高的熱導(dǎo)率等特點,使得基于它的寬帶功率放大器在有源相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信和電子對抗設(shè)備中具有巨大的優(yōu)勢。
　　 本文基于CREE公司的CRF-24060 SiC MESFET設(shè)計了一款兩級寬帶功率放大器。首先給出了功率放大器的基本理論,由于線性度和效率

2、的折中選擇了AB類工作模式,詳細(xì)介紹了寬帶匹配的限制條件和擴展帶寬的方法,然后給出了這款寬帶功率放大器的詳細(xì)設(shè)計過程,給出了整體電路的仿真結(jié)果:在500MHz-2000 MHz的頻帶內(nèi),小信號增益為27dB±1dB,穩(wěn)定因子 K>2.7,功率增益為25.9dB,增益平坦度為±0.7dB,輸出功率超過45.9dBm(38.9W),功率附加效率 PAE>15％；同時在1500 MHz下功率增益達(dá)到26dB,1dB輸出功率P1dB=46dBm

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