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文檔簡介
1、磁性材料與半導體材料都具優(yōu)秀的應用性能。Fe3O4是一種優(yōu)秀的磁性材料,它具有較高的飽和磁化強度,若粒徑小于20 nm還擁有超順磁性,對于科學研究具有重要的意義。TiO2是一種廉價易得、制備方法多樣的半導體材料,在光催化降解有機染料方面具有良好的性能。
本文利用溶劑熱法、輔助水熱法以及LSS(液相-固相-溶液)界面反應法分別制備了磁性材料Fe3O4。研究發(fā)現(xiàn),隨著溶劑熱中堿量的增大(1.2 g,2.4 g,3.6 g),磁性納
2、米粒子尺寸增大(分別為99 nm,125 nm,175 nm),飽和磁化強度亦增大(分別為53 emu/g,57 emu/g,65 emu/g)。而輔助水熱法制備的磁性材料飽和磁化強度大于溶劑熱法,達到80 emu/g。將制備的親水/疏水Fe3O4材料分別包覆SiO2進行表面修飾,SiO2層厚度分別為100 nm/10 nm,為之后的復合材料制備打下基礎。
在制備的親水Fe3O4以及Fe3O4@SiO2表面包覆一層銳鈦礦TiO
3、2,制備了核殼結(jié)構的Fe3O4@TiO2, Fe3O4@SiO2@TiO2。又考慮到中空的蛋黃結(jié)構具有優(yōu)良的物理化學性質(zhì),利用二氧化硅保護法(SPC)制備了 Fe3O4@void TiO2,這種方法不僅能形成穩(wěn)定的蛋黃結(jié)構,還可以使二氧化鈦結(jié)晶為銳鈦礦同時保持內(nèi)層Fe3O4的穩(wěn)定存在。三種復合物包覆均勻,TiO2層厚度在30-63 nm,空心層厚度為100 nm,飽和磁化強度分別27,19,14 emu/g,比表面積分別為40.82 m
4、2/g,20.14 m2/g,121.88 m2/g。
以這三種復合材料為研究對象,進行了紫外光下降解10 ppm的羅丹明B(RhB)的性能研究。光照2 h降解率分別達到80.3%,99.6%,99.8%,速率常數(shù)分別0.0139,0.0485,0.0580 min-1,證明了中空結(jié)構較強的光催化活性。并利用內(nèi)層磁性材料的分離特性,提高催化劑在反應結(jié)束后的分離回收效率。
最后以催化速率較快的Fe3O4@SiO2@Ti
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