SOI MOSFET的靜態(tài)特性研究.pdf_第1頁
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1、SOI MOSFET器件具有速度高、功耗低、抗輻照能力強(qiáng)、溫度穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn),在軍工、航空航天等眾多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景.但迄今為止,SOI MOSFET器件的理論還很不完善,嚴(yán)重制約著它的發(fā)展.鑒于此,該文對(duì)SOI MOSFET器件的靜態(tài)特性做了較全面的理論研究.論文分析了SOI MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及不同前、背柵壓的條件下薄膜雙柵SOI MOSFET的器件特性;論文提出了一種新的解析電流模型.該模型根據(jù)正、背面柵氧化層具有不

2、同的參數(shù),得到一個(gè)通用的薄膜雙柵SOI MOSFET閾值電壓附近的電流模型.模型所得的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合較好,由此分析了不同參數(shù)對(duì)漏源電流的影響.論文還建立了薄膜全耗盡型SOI MOSFET的閾值電壓的解析模型.根據(jù)這個(gè)模型,分析了硅膜的厚度、摻雜濃度,前柵及背柵二氧化硅層厚度,溫度等參數(shù)對(duì)薄膜全耗盡型SOI MOSFET器件閾值電壓的影響.獲得的結(jié)果表明硅膜摻雜濃度及前柵厚度是影響器件閾值電壓的關(guān)鍵因素.最后論文較全面的研究了不同類型

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