2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、該文首先建立了一個S0I MOSFET器件的直流漏電流模型和閾值電壓模型,模型考慮了速度飽和效應.通過計算得到器件輸出特性,將結果與實驗數據比較,直流模型的準確性得到驗證.以直流模型為基礎,通過求解溝道傳輸方程的方法,解出了四端小信號電流的一般表達式,進而的到SOI MOSFET的小信號電流以及四個本征y參數表達式,通過模型計算也得到了器件的本征電流增益和單向功率增益.通過將采用該模型計算得到的本征電流增益和單向功率增益與文獻的結果比較

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