單晶片原子層沉積反應(yīng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、原子層沉積是將脈沖前驅(qū)體交替通入反應(yīng)腔體并在其反應(yīng)基底上形成沉積薄膜的一種工藝方法。自20世紀(jì)90年以來,各大設(shè)備生產(chǎn)商逐漸發(fā)展起來,形成了很多成熟的產(chǎn)品。有應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn),也有應(yīng)用于科學(xué)研究。本文致力于設(shè)計(jì)與搭建接觸加熱與輻射加熱兩套科學(xué)研究原子層沉積設(shè)備,而其中的核心模塊反應(yīng)腔體的設(shè)計(jì)。
  在接觸加熱原子層沉積反應(yīng)腔體設(shè)計(jì)中,結(jié)合ANSYS CFX流體仿真軟件對(duì)分析了三種進(jìn)氣方式,結(jié)果顯示底部進(jìn)氣方式最好。另外還分析腔體的高

2、度,得出前提高度愈小愈好,但是腔體高度愈小時(shí),密封圈處的溫度就愈高,這是需要限制的,最后綜合考慮取高度為10mm。最后還分析了腔體的出氣口直徑對(duì)其流場(chǎng)的影響,整體趨勢(shì)是直徑愈大,流場(chǎng)效果愈好,并且進(jìn)出氣口直徑的差值愈小愈好;此外通入的流量愈大,選擇的直徑愈大愈好。最后的選擇是進(jìn)出氣口直徑為6.5mm,出氣口直徑為10mm。接著進(jìn)行了耦合分析,鑄鐵加熱器中嵌入四根加熱棒時(shí)效果較兩根好。
  對(duì)于輻射加熱原子層沉積腔體,采用多孔進(jìn)氣方

3、式,進(jìn)氣小孔的數(shù)量為9。在仿真時(shí),進(jìn)氣口通入1000sccm的N2時(shí),直徑的增大改善效果不明顯;而小孔直徑為2mm時(shí),通入的流量不超過500sccm時(shí)效果都比較好。考慮到實(shí)驗(yàn)多數(shù)在小流量下進(jìn)行,最后選擇的小孔直徑為2mm。
  另外也介紹了結(jié)合密封圈來設(shè)計(jì)密封槽的具體計(jì)算,包括密封槽的截面形狀,槽寬以及槽深。接著本文還介紹如何檢測(cè)真空系統(tǒng),包括真空度以及漏率。在檢測(cè)設(shè)備上,如何選擇檢漏儀。
  最后,對(duì)搭建完畢的設(shè)備進(jìn)行Al

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