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文檔簡介
1、石墨烯是一種新型的二維單原子層結構的碳納米材料,由于其突出的電子、光學性質,例如反常量子霍爾效應,克萊因隧穿,鏡面Andreev反射,最小電導率等,引起人們的強烈關注和深入研究。石墨烯中的Dirac電子服從相對論性的無質量Dirac方程,在緊束縛近似結構下,可通過對布里淵區(qū)中特殊點K和K¢處的泰勒展開獲得。石墨烯器件通常生長在某種物理介質上,例如,二氧化硅、氧化鋁等絕緣基板上,由于晶格匹配的問題,往往產生應力,本文正是基于這種實際情形下
2、的考量,對理想的單層石墨烯中的電子哈密頓量做了各向異性的修正,本論文內容主要分兩部分:
(1)首先研究理想石墨烯中的Dirac粒子在周期性電場勢作用影響下,通過在多個量子阱/壘中構造分段傳遞矩陣,從而得到Dirac粒子在該結構中的透射率、電導和電流。我們的傳遞矩陣既能解決無奇異矩陣元情形也能解決矩陣元有奇異性的情形;接下來我們研究了相應的超晶格結構,數值分析相應的能帶結構和態(tài)密度,從中發(fā)現(xiàn)超晶格的晶格長度在能帶結構和態(tài)密度中起
3、著關鍵性的作用,例如影響能隙的變化、導帶與價帶接觸點位置變化、態(tài)密度曲線圖中的凸起。
(2)研究兩種應力作用于磁場中的石墨烯多量子阱結構,一種是正磁場處的石墨烯條有應力,負磁場處為理想石墨烯條的結構,另一種正負磁場處石墨烯條全部有應力的結構。在各向異性的哈密頓量下,研究并解釋其透射率,量子阱結構的電導及相應的能帶結構,發(fā)現(xiàn)應變有利于提高Dirac粒子的透射率,顯著改變電導,而且由于應力的不同,兩種結構下的能帶圖有著明顯的差異。
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