鈣鈦礦氧化物薄膜中的應力釋放機制研究.pdf

1、現(xiàn)代微電子和集成電路的迅猛發(fā)展，要求電子設備有更高的可靠性、更小的體積、更強的功能，這要求電子元器件向著集成化、微小化和多功能化發(fā)展。將器件薄膜化是未來發(fā)展的主流方向，這就對組成電子元器件的材料提出了更高的要求。
　　鈣鈦礦氧化物薄膜材料，以其自身的介電可調性、多鐵性、超導性和鐵磁耦合特性受到了極大的關注。然而，由于現(xiàn)有技術的限制，在鈣鈦礦氧化物薄膜制造過程中難免產(chǎn)生缺陷和應力，影響材料的物理性質和化學性質。研究這些應力和缺陷的產(chǎn)

2、生和應力釋放的機制對于生產(chǎn)性能更高的鈣鈦礦氧化物薄膜至關重要。
　　本論文將用X射線衍射法對鈣鈦礦體系幾種具有代表性薄膜的晶格常數(shù)、缺陷密度進行計算，探討其應力釋放機制，為進一步優(yōu)化鈣鈦礦氧化物薄膜的性能提供一定的基礎。本論文主要包括以下幾個方面：
　　1.研究不同降溫速率情況下生長在NdGaO3基片上(Pb,Sr)TiO3薄膜的應力釋放行為，探討不同的降溫速率對(Pb,Sr)TiO3薄膜的應力產(chǎn)生的影響極其可能的應力釋放機

3、制。
　　2.研究不同沉積溫度時生長在LaAlO3基片上SrRuO3薄膜的應力釋放行為，探討了不同的沉積溫度對SrRuO3薄膜產(chǎn)生的影響及可能的應力釋放機制。
　　3.研究以LaAlO3為基底分別以BTO和STO為始層對BaTiO3/SrTiO3多層膜的應力釋放行為，探討不同起始層對 BaTiO3/SrTiO3多層膜的應力產(chǎn)生的影響及可能的應力釋放機制。
　　4.研究以STO、MgO和NGO為基底生長的LaBaCoO3