電子束光刻鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、微細(xì)加工技術(shù)是制備超大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵技術(shù),隨著集成電路特征尺寸的不斷減小和三維微結(jié)構(gòu)制造要求的不斷提高,對分辨率的要求越來越高,這就對圖形加工技術(shù)提出了更高的要求。電子束光刻技術(shù)是目前最好的圖形制作技術(shù)之一,但電子散射引起的鄰近效應(yīng)降低了微細(xì)加工圖形的精度,因此,為了獲得精確的圖形,必須進(jìn)行鄰近效應(yīng)校正。
   本學(xué)位論文對電子束光刻技術(shù)在二維抗蝕劑圖形制作和三維微結(jié)構(gòu)加工中的鄰近效應(yīng)校正問題進(jìn)行了較全面的分析研究。論文的主

2、要工作集中于二維電子束光刻的鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究及其算法實(shí)現(xiàn),三維電子束光刻仿真技術(shù)研究,分析了三維電子束光刻仿真模型的性能,主要工作概括如下:
   1.二維電子束光刻的鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究在二維電子束光刻技術(shù)中,依據(jù)電子束光刻鄰近效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)理,探討有效提高校正速度的鄰近效應(yīng)校正方法,對圖形內(nèi)部、相鄰圖形和復(fù)雜圖形之間產(chǎn)生的鄰近效應(yīng)分別進(jìn)行討論,有針對性地采用適合的方法實(shí)現(xiàn)鄰近效應(yīng)校正,獲得符合設(shè)計圖形要求的校正圖形,提高了

3、校正速度。
   2.重點(diǎn)研究了T型和L型復(fù)雜圖形的相互鄰近效應(yīng)校正方法,設(shè)計并實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜圖形的校正軟件,獲得了符合設(shè)計圖形要求的校正圖形。
   3.研究了提高校正速度的方法,利用對局部曝光窗口中的圖形能量沉積求累加和的方法代替目前直接卷積的方法,在校正精度不變的情況下,有效提高了校正速度。
   4.三維電子束光刻仿真模型的研究與優(yōu)化分析研究了電子在三維抗蝕劑中的散射過程,利用Monte Carlo模擬軟件獲

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