電子束光刻鄰近效應的計算機模擬.pdf

1、電子束光刻技術是目前公認的最好的高分辨率圖形制作技術，它具有波長
　　 短、易于控制、精度高、靈活性大等優(yōu)點。但其鄰近效應問題是不可忽視的，對
　　 其進行研究是十分必要的。
　　 本論文的主要工作是分析電子束曝光Monte Carl o 模擬計算的模型，電子束
　　 光刻工藝的顯影模型，開發(fā)了相應的軟件系統(tǒng)，對具有高斯分布束斑的電子束在
　　 抗蝕劑-襯底中的散射及能量沉積過程進行模擬計算，由抗

2、蝕劑吸收能量密度的
　　 計算結果結合顯影模型，模擬顯影剖面輪廓。以此來對鄰近效應進行模擬和分析。
　　 主要工作概括如下：
　　 1.用計算機模擬和分析了電子束光刻中限制其分辨率的主要因素：鄰近效
　　 應的影響.模擬和分析了入射電子的能量、襯底材料和抗蝕劑厚度對鄰近效應影
　　 響的大小,并與實驗結果進行了比較,發(fā)現(xiàn)模擬結果同驗結果相符合得很好.分析
　　 結果表明：電子束能量越高,抗

3、蝕劑越薄,襯底原子序數(shù)越小,鄰近效應越小.
　　 2.模擬了版圖修正前后光柵的顯影剖面輪廓圖形，并與光柵制作的實驗結
　　 果進行了比較。結果表明，軟件模擬結果可以用來對實驗進行指導。
　　 3.對鄰近效應產(chǎn)生的原因和鄰近效應校正途徑進行初步了探討。鄰近效應
　　 在電子束光刻中是不可避免的，但是可以通過幾何圖形修正或進行曝光劑量調制
　　 或將二者相結合進行修正的。通過優(yōu)化工藝措施也是可以降低其