基于C-Mount熱沉封裝不同激光器芯片尺寸熱分析.pdf

1、隨著半導體激光器工藝技術的不斷提高，輸出功率的不斷增加，熱效應成為制約大功率半導體激光器發(fā)展主要障礙。其半導體激光器的散熱能力常用熱阻表示。本文制作了條寬為150μm，腔長為1000gm的半導體激光器，并用In焊料燒結在C-Mount熱沉上，并進行TO-3封裝。用波長漂移法對基于C-Mount封裝類型的多只3W激光器的熱阻進行了測量，得出其熱阻為5.3℃/W-5.9℃/W之間。并用ANSYS有限元熱分析軟件在理想條件下對其進行了模擬，從

2、其實測和模擬結果的差異引入了由于焊料層空洞增加的接觸熱阻。并用ANSYS有限元熱分析軟件模擬引入接觸熱阻后的熱阻，其值和實測的結果基本吻合，所以我們用同樣的方法對C-Mount熱沉封裝的不同芯片尺寸進行了模擬。本文又對3W激光器在不同的占空比下測量了其溫升值，結果發(fā)現(xiàn)其在不同的占空比下的溫升是不同的，其中在0.5％占空比條件下其溫升情況為連續(xù)條件的19.6％。并用ANSYS有限元熱分析軟件對100％占空比下的溫升情況進行了模擬，從模擬結