ZnO納米陣列的制備和稀土摻雜工藝及其發(fā)光性能的研究.pdf

1、湖南大學(xué)博士學(xué)位論文ZnO納米陣列的制備和稀土摻雜工藝及其發(fā)光性能的研究姓名：趙世華申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：王玲玲楊雷201005ZnO納米陣列的制備和稀土摻雜工藝及其光學(xué)性能的研究化鋁模板本身而產(chǎn)生的。也就是說，當(dāng)用235nm的光激發(fā)ZnO:Tb3納米管陣列樣品時(shí)，氧化鋁納米管同時(shí)也被激發(fā)了，從而發(fā)射出344nm的紫外光。4.通過電場(chǎng)輔助沉積的方法，用陽極氧化鋁模板合成了ZnO:Eu3納米線陣列。通過X射線衍射圖和

2、高分辨透射電鏡圖可以認(rèn)為Eu3離子已經(jīng)摻入了ZnO的晶格中去了。通過掃描電鏡觀察，所制備出的ZnO:Eu3納米線直徑尺寸大概在80nm。高分辨透射電鏡圖和傅里葉變換可以說明所制備出的ZnO:Eu3納米線是單晶結(jié)構(gòu)，并且沿著[0001]方向擇優(yōu)生長(zhǎng)。通過對(duì)發(fā)射光譜圖的分析，認(rèn)為ZnO基質(zhì)與摻雜的Eu3離子之間可能存在著能量傳遞。而306nm處新的紫外發(fā)射峰是由于氧化鋁模板本身而產(chǎn)生的。也就是說，當(dāng)用395nm的光激發(fā)ZnO:Eu3納米線陣