低電壓CMOS混頻器的設(shè)計.pdf

1、隨著CMOS工藝的快速發(fā)展，集成電路得到快速的發(fā)展。射頻、中頻和基帶等電路更趨與集成在同一塊芯片中。在無線局域網(wǎng)的射頻前端電路中，混頻器是起著及其重要的作用，是電路的核心部件。本課題設(shè)計了一種可以工作在低電壓下具有優(yōu)良性能的新型混頻器電路，它是在吉爾伯特混頻器(Gilbert CellMixer)電路基礎(chǔ)上改進而成。 在傳統(tǒng)的吉爾伯特混頻器電路的基礎(chǔ)上，我們引入了一種新的低電壓結(jié)構(gòu)，是為了達(dá)到低電壓高性能的目的。這種低電壓結(jié)構(gòu)由

2、電容和電感所組成的共振電路以及耦合電容構(gòu)成，采用這種結(jié)構(gòu)可以有效地降低整個電路的供電電壓。另一個方面我們采用三個差分對取代原來電路中的一個差分對，另一同時，我們對吉爾伯特混頻器的跨導(dǎo)級做了調(diào)整，引入了新的跨導(dǎo)單元結(jié)構(gòu)這樣做的結(jié)果是提高了混頻器的跨導(dǎo)，從而提高了整個電路的增益和線性度所以，提高增益和線性度意味著提高混頻器的性能，同時降低了供電電壓意味著降低功率消耗，也就是說，在移動設(shè)備中用同樣的電池可以延長使用時間。 使用0.35

3、um CMOS工藝，在Mentor的Eldo仿真環(huán)境下對所設(shè)計的新型混頻器電路進行仿真，結(jié)果表明電路射頻頻率為2.4GHz，本振頻率為2.26Hz，中頻頻率為200MHz。仿真結(jié)果得到的轉(zhuǎn)換增益為7.48dB，1dB壓縮點為-3.4dBm，輸入三階截斷點為8.2dBm，供電電壓為2.5V，噪聲系數(shù)為12.4dB，消耗功率為11.8mW。仿真結(jié)果證明新的混頻器結(jié)構(gòu)在性能上有很大提升，即經(jīng)過改進的電路可以工作在較低的供電電壓下，并且增益和線