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文檔簡介
1、寬禁帶導(dǎo)體材料SiC擁有許多優(yōu)越的物理特性,這使得它在高溫,高頻,大功率,以及極端化學(xué)環(huán)境下具有廣泛應(yīng)用。目前,對于SiC材料的電子結(jié)構(gòu),缺陷態(tài),表面、界面態(tài)等方面已有了不少理論和實驗研究。其中,對于N型摻雜前人研究較多,而對于P型摻雜的空間結(jié)構(gòu),電子結(jié)構(gòu)還沒有一個系統(tǒng)的研究。本文采用基于泛函理論框架下的第一性原理軟件VASP對SiC材料P型摻雜空間結(jié)構(gòu),電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究。主要研究內(nèi)容如下:
一、系統(tǒng)計算了SiC的幾何和電
2、子結(jié)構(gòu),包括晶體結(jié)構(gòu),能帶結(jié)構(gòu),態(tài)密度。結(jié)果表明:SiC是一種間接半導(dǎo)體材料,它的價帶頂(R點)電子主要由C的2p以及Si的3p提供,導(dǎo)帶底電子主要由Si的3p態(tài)貢獻(xiàn)。
二、系統(tǒng)的計算了不同摻雜物B,Al,Ga以相同濃度摻雜SiC時的幾何結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu),包括晶格常數(shù),能帶結(jié)構(gòu)。結(jié)果表面:在相同濃度下,摻Ga的禁帶寬度最大,其次是Al,禁帶寬度最小的是B。同時,通過比較對于同一摻雜物,在摻雜濃度不同時,我們發(fā)現(xiàn):隨著摻雜B原
3、子濃度的增大,禁帶寬度隨之減??;而隨著摻雜A1,Ga原子濃度的增大,禁帶寬度隨之增大。
三、系統(tǒng)的計算了SiC摻雜B,Al,Ga在不同濃度下的態(tài)密度,分波態(tài)密度,電荷密度分布,從而分析摻雜物不同,濃度不同時,造成其禁帶寬度改變的微觀機理。
四、計算了SiC摻雜過渡金屬V,Cr,Mn后磁學(xué)性能,結(jié)果表明:V,Cr,Mn摻雜SiC時,V得到幾何結(jié)構(gòu)最為穩(wěn)定;而Cr摻雜SiC鐵磁性最為穩(wěn)定,其次是Mn,鐵磁性最弱的
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