大氣等離子體加工技術定量去除研究.pdf

1、隨著半導體工業(yè)及光學工程發(fā)展，含硅材料的超光滑表面需求量越來越大，而表面質量要求尤為苛刻。由于眾多含硅材料難于加工，而面型要求復雜，對于現(xiàn)存?zhèn)鹘y(tǒng)加工手段提出挑戰(zhàn)。廣泛使用的機械加工方法以接觸式加工為主，一方面會損傷材料表面晶格，留下殘余應力與亞表層損傷，另一方面對設備要求很高，實現(xiàn)非球面元件的拋光仍然難于在效率要求、精度要求及經(jīng)濟性之間平衡。因此，大氣等離子加工技術作為一種具有良好前景的新型加工手段被引入視野。
　　由此，為了使用

2、大氣等離子體加工方法滿足上述要求，對該技術在超光滑表面定量去除存在的幾個關鍵問題開展了研究。首先，搭建了大氣等離子體射流加工實驗平臺著重設計改進了等離子體發(fā)生器結構。然后，圍繞大氣等離子體主要工藝參數(shù)，以提高加工效率和降低沉積缺陷為目標設計完成了實驗優(yōu)化研究。在此基礎上，建立了等離子體內(nèi)部反應的簡化模型，從機理層面解釋了實驗中存在的現(xiàn)象并對工藝參數(shù)選擇提出了建議。最后，使用Lucy-Richardson解卷積算法編寫了駐留時間解算程序，