基于PCB工藝的RF開關(guān)的研究.pdf

1、本文對基于PCB工藝的RF開關(guān)進行了研究，開關(guān)直接制作在PCB上，可以與制作在PCB上的射頻電路直接集成。利用HFSS和ANSYS軟件分別對開關(guān)的微波性能和力學(xué)性能進行了仿真，并對加工完成的傳輸線和開關(guān)進行了測試。最后對RF開關(guān)在可重構(gòu)均衡器中的應(yīng)用以及動態(tài)效應(yīng)進行了研究。
　　本文設(shè)計了壓電驅(qū)動DC接觸式串聯(lián)開關(guān)和DC接觸式并聯(lián)開關(guān)，并且就開關(guān)的幾何參數(shù)對開關(guān)微波性能的影響進行了研究。根據(jù)仿真結(jié)果，對開關(guān)的結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。在10

2、～14GHz范圍內(nèi)，串聯(lián)式開關(guān)的隔離度大于-24dB，插入損耗小于-0.4dB；并聯(lián)式開關(guān)的插入損耗小于-0.4dB，隔離度在13GHz時可以達到-40dB。
　　在力學(xué)仿真中，分析了壓電雙晶片的長度、厚度以及加載的電壓對壓電雙晶片驅(qū)動能力的影響，研究表明：當(dāng)壓電雙晶片的長度為90mm，厚度為0.1mm，加載電壓為325V時，壓電雙晶片末端的彎曲位移可以達到2.16mm，滿足上述兩種開關(guān)的驅(qū)動要求。
　　本文還對RF開關(guān)在可

3、重構(gòu)均衡器中的應(yīng)用進行了研究，在吸收式多支節(jié)微帶均衡器中，利用RF開關(guān)來控制接入電路中的微帶支節(jié)的長度，從而改變均衡曲線，達到可重構(gòu)的目的。當(dāng)微帶支節(jié)的長度分別為7.7mm、11.3mm、17.5mm、20.3mm時，4種均衡曲線的形狀分別為下降、上升、凹下、凸起。
　　最后，本文以RF MEMS開關(guān)為例對典型的MEMS結(jié)構(gòu)在運動過程中產(chǎn)生和輻射電磁波的機理以及產(chǎn)生的效應(yīng)進行了研究。研究表明：在距離電磁波源1cm處，MEMS結(jié)構(gòu)輻