有機薄膜晶體管器件的設(shè)計與制備.pdf

1、本文從有機薄膜晶體管（OTFT）器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備出發(fā)，對OTFT器件的相關(guān)參數(shù)進行了合理設(shè)計，制備了具有不同溝道寬長比的 OTFT器件。器件采取底柵下電極結(jié)構(gòu)，以酞菁銅為有機半導體層，二氧化硅為絕緣層，鈦/金雙層膜為源漏電極，電極采用叉指結(jié)構(gòu)。研究并分析了OTFT器件的穩(wěn)定性及器件參數(shù)對器件性能的影響，并實現(xiàn)了OTFT器件在氣體傳感器方面的初步應用。
　　在器件的設(shè)計與工藝實現(xiàn)方面，重點研究了制備OTFT器件的刻蝕工藝，結(jié)果表

2、明：物理轟擊強烈的ICP干法刻蝕不適合用于刻蝕鈦/金電極，而濕法刻蝕是一種比較合適的工藝，工藝條件KI:I2:H2O=4:1:40和HF:HNO3:H2O=1:1:5分別為刻蝕金和鈦（關(guān)鍵尺寸：5微米）的相對最佳工藝條件，刻蝕后材料表面干凈，關(guān)鍵尺寸線條清晰，橫向鉆蝕和誤差較小，最大絕對誤差0.21μm，最大相對誤差是4.2％。
　　在OTFT器件特性研究方面，重點研究了OTFT器件的穩(wěn)定性和溝道寬長比對器件性能的影響，結(jié)果表明：

3、(a)基于酞菁銅的OTFT器件置于空氣中時，在其他條件不變的情況下，載流子濃度和體電導率逐漸增大，載流子遷移率幾乎不受影響，相同柵極電壓下器件達到飽和狀態(tài)所需的源漏極電壓增大，線性區(qū)向飽和區(qū)推進。閾值電壓減小，在柵極電壓為0時，界面處逐漸形成導電溝道，器件從增強型向耗盡型轉(zhuǎn)變。(b)基于酞菁銅的OTFT器件的溝道寬長比不是影響載流子遷移率的主要因素，在其他條件相同的情況下，閾值電壓隨著寬長比的增大而減小，而漏電流隨著溝道寬長比的增大而增