MgInSnO薄膜晶體管的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、薄膜晶體管(thin film transistors，TFT)是平板顯示領域不可或缺的關鍵部件。以氧化鋅(ZnO)為代表的金屬氧化物薄膜晶體管以其遷移率高，開口率高等優(yōu)點吸引了越來越多的關注，因此被認為是替代傳統(tǒng)非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)的下一代薄膜晶體管技術。但ZnO薄膜通常是多晶結構，容易產(chǎn)生晶界缺陷，且在制備過程中容易產(chǎn)生氧空位缺陷，這制約了其性能的提高，而MgO擁有較強的金屬-氧鍵能，可以抑制氧空位的形成。然而，到

2、目前為止，幾乎沒有關于MgO-TFT的報道。本文首次以MgInSnO為有源層制成底柵型薄膜晶體管，器件性能可以達到飽和遷移率約為12cm2/Vs，開關比約為107，閾值電壓約為0-10V。主要研究內容如下:
　　1.研究了退火溫度及退火氧氣流量對MgInSnO薄膜晶體管性能的影響，發(fā)現(xiàn)當退火溫度為750℃時器件性能最佳，進一步提高退火溫度使得MgInSnO薄膜由非晶態(tài)轉變?yōu)槎嗑B(tài)，器件性能明顯下降;退火氧氣流量為400SCCM時器

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