MgInSnO薄膜晶體管的研制.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩48頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、薄膜晶體管(thin film transistors，TFT)是平板顯示領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵部件。以氧化鋅(ZnO)為代表的金屬氧化物薄膜晶體管以其遷移率高，開口率高等優(yōu)點吸引了越來越多的關(guān)注，因此被認(rèn)為是替代傳統(tǒng)非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)的下一代薄膜晶體管技術(shù)。但ZnO薄膜通常是多晶結(jié)構(gòu)，容易產(chǎn)生晶界缺陷，且在制備過程中容易產(chǎn)生氧空位缺陷，這制約了其性能的提高，而MgO擁有較強(qiáng)的金屬-氧鍵能，可以抑制氧空位的形成。然而，到

2、目前為止，幾乎沒有關(guān)于MgO-TFT的報道。本文首次以MgInSnO為有源層制成底柵型薄膜晶體管，器件性能可以達(dá)到飽和遷移率約為12cm2/Vs，開關(guān)比約為107，閾值電壓約為0-10V。主要研究內(nèi)容如下:
　　1.研究了退火溫度及退火氧氣流量對MgInSnO薄膜晶體管性能的影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)退火溫度為750℃時器件性能最佳，進(jìn)一步提高退火溫度使得MgInSnO薄膜由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)，器件性能明顯下降;退火氧氣流量為400SCCM時器

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論