ZnO薄膜晶體管的模型與研究.pdf

1、氧化鋅薄膜晶體管由于具有良好的透明性、導(dǎo)電性以及低溫生長和高遷移率的材料而受到廣泛關(guān)注，成為下一代透明顯示器件的有力競爭者。由于制備工藝及溫度限制，目前的氧化鋅薄膜晶體管溝道層為多晶晶態(tài)，嚴重的影響著器件性能，也限制了其應(yīng)用范圍。而針對氧化鋅多晶溝道與電性能改善的理論研究與分析尚處于初步階段。
　　本文針對多晶氧化鋅薄膜晶體管提出一種缺陷態(tài)密度模型。該模型考慮了多晶材料晶界處按指數(shù)分布的帶尾態(tài)缺陷態(tài)和能帶中央按高斯分布的深能級缺陷

2、態(tài)濃度，經(jīng)過驗證，理論與實驗數(shù)據(jù)吻合。該模型能夠很好的描述多晶氧化鋅薄膜晶體管的性能，并分析了帶尾態(tài)缺陷態(tài)和深能級缺陷態(tài)對其性能的影響。在模型的基礎(chǔ)上，針對ZnO TFT的柵介質(zhì)結(jié)構(gòu)進行改善，采用高 K介質(zhì) HfO2，同時考慮到界面接觸特性，在 HfO2兩側(cè)引入夾層介質(zhì)，結(jié)果形成了SiO2/HfO2/SiO2三層介質(zhì)結(jié)構(gòu)；對三層?xùn)沤橘|(zhì)結(jié)構(gòu)進一步改善，產(chǎn)生了SiO2/HfO2/Al2O2結(jié)構(gòu)。然后，本文又對器件的有源層進行改變，引入了IT