Ⅱ-Ⅵ族納米晶的生長動力學與超快熒光光譜的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、II-VI族半導體納米晶材料由于其優(yōu)越的結構與光學特性，有著巨大的應用潛力，引起學界的廣泛關注。而利用飛秒脈沖激光觀測微觀世界的超快過程，也得到了人們越來越多的重視。本文以II-VI族納米晶為研究對象，研究其生長的動力學過程及光譜特性。本文目的在于深入了解納米晶的形成過程，分析其基本的物理機制，通過測試超快光譜研究納米晶中的超快過程，建立納米晶體中能量傳遞的模型，為實際應用提供實驗與理論依據(jù)。論文的主要內(nèi)容如下：
　　 1．采用

2、熱注入方法，嘗試制備了CdS納米晶、CdS/ZnS核殼結構納米晶及CdS/ZnSe/ZnS核殼殼結構納米晶。通過改變包覆劑油酸的濃度和反應物的濃度，考察了它們對反應產(chǎn)物質量的影響，對納米晶的成核機理和生長機理進行了分析。
　　 2．根據(jù)紫外可見熒光光譜測試，分析CdS納米晶和CdS/ZnS核殼結構納米晶的基本能級結構和發(fā)光過程。
　　 3．應用飛秒激光技術研究了納米晶的超快動力學過程。采用上轉換方法測試了CdS納米晶和C

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