激光干涉納米光刻樣品定位技術(shù)與系統(tǒng)的研究.pdf

1、近年來，激光干涉納米光刻被日益廣泛的研究和使用在周期、準(zhǔn)周期微納表面圖案的生產(chǎn)制造中。在激光干涉納米光刻中，決定光刻圖案和曝光面積的因素有很多，包括光束入射角、空間角、入射位置、偏振態(tài)、相位、光強(qiáng)等。在激光干涉納米光刻系統(tǒng)中，樣品定位環(huán)節(jié)尤其重要，這方面的工作包括：
　　1.使用高精度、大行程的樣品定位平臺(tái)完成多次曝光增加光刻點(diǎn)密度(插補(bǔ))和增加光刻面積所需的運(yùn)動(dòng)；
　　2.在特定的樣品定位技術(shù)控制下完成光束入射姿態(tài)的檢測(cè)及

2、校正，光束入射姿態(tài)包括光束相對(duì)于樣品的入射角、空間角及入射位置，它們直接影響光刻圖案和曝光面積。
　　本文討論的是激光干涉納米光刻樣品定位技術(shù)與系統(tǒng)，基于激光干涉納米光刻中樣品定位環(huán)節(jié)的工作內(nèi)容，研究包括兩方面：
　　1.設(shè)計(jì)了一種在行程、定位精度等各個(gè)方面都可以滿足激光干涉納米光刻要求的樣品定位平臺(tái)；
　　2.首創(chuàng)了一種基于光斑檢測(cè)的樣品定位技術(shù)。
　　通過理論分析、計(jì)算機(jī)仿真及應(yīng)用實(shí)驗(yàn)、驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)等一系列實(shí)驗(yàn)，