錳、鈷氧化物薄膜的物性及銅氧化物電荷補(bǔ)償效應(yīng)的研究.pdf

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文錳、鈷氧化物薄膜的物性及銅氧化物電荷補(bǔ)償效應(yīng)的研究姓名：熊奕敏申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：陳仙輝20040601中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文 論文摘要強(qiáng)的沒有指標(biāo)的峰，這個(gè)峰在大塊樣品沒有被觀察到。這說明，這個(gè)模式是和應(yīng) 力相關(guān)的。礦第四章研究了退火對(duì)于L S C O 薄膜磁性和輸運(yùn)性質(zhì)的影響。樣品是通過在不同溫度下將非晶的薄膜退火而得到的。隨著退火溫度的升高，薄膜的電阻率減小，居里溫度和負(fù)的

2、磁阻都增大。這是由于在晶粒內(nèi)部和晶粒間的鐵磁耦臺(tái)增強(qiáng)，自旋相關(guān)和無(wú)序造成的散射減弱造成的。另外，電導(dǎo)對(duì)氧空位非常敏感。在6 0 0 和1 0 0 0 ℃退火的薄膜樣品的熱電勢(shì)表現(xiàn)出了不同的行為。在1 0 0 0 。C 退火的樣品的熱電勢(shì)與溫度成線性關(guān)系，是典型金屬性。而6 0 0 ℃制備的薄膜的熱電勢(shì)在1 5 0 K突然地增大。這可能是由于三價(jià)C o 的自旋態(tài)由中自旋態(tài)變成了低自旋態(tài)，另外非晶的基質(zhì)和缺少空穴的區(qū)域也對(duì)熱電勢(shì)做出貢獻(xiàn)。第

3、五章在這一章中我們測(cè)量T ( L a l ．。L n 。) 0 ．5 s 。o 5 C o O s 樣品的磁阻和交流磁化率。P r 和N d 摻雜導(dǎo)致居里溫度T c 的下降。隨著摻雜含量的增大，團(tuán)簇凍結(jié)的溫度向高溫移動(dòng)。由于熱激發(fā)導(dǎo)致的C o 離子的自旋態(tài)的轉(zhuǎn)變，使得P r 和N d 摻雜為0 , 2 的樣品在1T 磁場(chǎng)下，9 0 K 的時(shí)候磁阻有一個(gè)突然的減小。當(dāng)磁場(chǎng)增大到7T 時(shí)，這個(gè)溫度變?yōu)? 0 K ，這是由于磁場(chǎng)導(dǎo)致的自旋態(tài)的

4、轉(zhuǎn)變。P r 和N d 的摻雜都會(huì)增大樣品的磁阻，而且N d 摻雜的樣品在低場(chǎng)下的磁阻效應(yīng)更明顯。這些都說明，離子半徑的不同以及A 位離子磁矩和C 0 3 十／C 0 4 + 子晶格的耦合所引入的可能的附加反鐵磁耦合都會(huì)對(duì)體系的磁和輸運(yùn)性質(zhì)有很大的影響。第六章在這一章中我們研究了R u 摻雜對(duì)L a l ．8 5 S t 0 ．1 5 C u 0 4 ( L S C O ) 結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)的影響。我們發(fā)現(xiàn)R u 摻雜有兩個(gè)作用。R u 摻雜