ATRP法合成具有規(guī)整結構的POSS-聚合物納米復合材料及其性能的研究.pdf

1、本文以1，3，5，7，9，11，13-苯基-15-氯丙基POSS(POSS-Cl)與八(γ-氯丙基)POSS(T8POSS-Cl)為基礎，運用原子轉移自由基聚合(ATRP)法制備具有不同拓撲結構的POSS基復合材料，包括以下三種：線型POSS/PS、樹枝狀POSS/PS-b-(PS)2與星型T8POSS/PS-b-(PS)2復合材料。具體研究內容包含以下幾個方面：
　　1、簡述POSS的研究進展，包括其結構、制備方法。介紹POSS

2、改性聚合物的研究現狀，重點關注POSS改性的具有規(guī)整結構納米復合材料的制備。
　　2、采用1，3，5，7，9，11，13-苯基-15-氯丙基POSS為引發(fā)劑，運用ATRP法制備線型POSS/PS復合材料。以線型POSS/PS作為大分子引發(fā)劑，成功制備線型POSS/PS-b-PMMA復合材料。通過FTIR、1H-NMR等手段表征大分子引發(fā)劑POSS/PS-Cl的結構。TGA研究發(fā)現，線型POSS/PS復合材料的熱分解溫度達到357℃

3、，明顯高于純PS熱分解溫度。
　　3、采用線型POSS/PS復合材料為基體，合成大分子引發(fā)劑POSS/PS-(Br)2，并成功制備樹枝狀POSS/PS-b-(PS)2復合材料。通過FTIR、1H-NMR等手段表征大分子引發(fā)劑POSS/PS-(Br)2的結構。TGA研究發(fā)現，樹枝狀POSS/PS-b-(PS)2復合材料的熱分解溫度較線型POSS/PS復合材料提高了16℃。
　　4、采用八(γ-氯丙基)POSS為引發(fā)劑，運用AT

4、RP法制備星型T8POSS/PS復合材料。以星型T8POSS/PS為基體，合成大分子引發(fā)劑T8POSS/PS-(Br)2，并成功制備星型T8POSS/PS-b-(PS)2復合材料。通過FTIR、1H-NMR等手段表征大分子引發(fā)劑T8POSS/PS-(Br)2的結構。TGA研究發(fā)現，星型T8POSS/PS-b-(PS)2復合材料的熱分解溫度較星型T8POSS/PS復合材料提高了5℃。
　　5、聚合物基體為聚苯乙烯條件下，總結不同拓撲