SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管技術(shù)研究.pdf

1、通過在Si BJT基區(qū)引入Ge，形成了基區(qū)禁帶寬度較窄的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。與傳統(tǒng)的Si雙極型晶體管相比，它具有更高的頻率特性，因而在微波高頻段工作有很大的潛力。SiGe技術(shù)具有GaAs高頻低功耗的優(yōu)點，與Si工藝兼容因此工藝成本低，并且其噪聲性能優(yōu)于Ⅲ-Ⅴ化合物半導體器件，在高速和微波領(lǐng)域具有廣泛用途。
　　本課題主要研究SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管設(shè)計與工藝實現(xiàn)。以0.5μmSi基微波器件研制生產(chǎn)線為平臺進行SiGe HBT

2、的研發(fā)。論文主要闡述以下幾個方面內(nèi)容：研究SiGe材料特性及其材料制備的方法；研究SiGe HBT器件特性，通過分析完成SiGe HBT集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)的縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計以及橫向設(shè)計；通過工藝實驗，如SiGe自終止腐蝕方法，PtSi合金形成良好歐姆接觸等，確定了工藝方案并進行了流片，解決了流片中存在的工藝問題并進行了優(yōu)化，從而提高了器件特性。
　　通過工藝流片，完成了SiGe HBT器件的試制，經(jīng)過封裝測試，SiGe HBT器件直