SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管的制備與模型驗證.pdf

1、現(xiàn)代社會已經(jīng)進入信息時代，電子信息系統(tǒng)日新月異、一日千里，功能越來越強，速度也越來越快。作為電子工業(yè)基礎(chǔ)的半導體工業(yè)為社會研發(fā)了各種各樣的半導體器件，為信息技術(shù)的進步作出了卓越的貢獻，提供了強大的動力。其中，SiGe HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）具有很多優(yōu)越的性能，比如高性能、高集成度、高功率、高頻率、低噪聲、低成本等，而且與傳統(tǒng)Si生產(chǎn)工藝進行兼容，容易與現(xiàn)代常用的CMOS工藝集成，所以現(xiàn)在SiGeHBT得到大萱應(yīng)用，同時成為半導體器件

2、領(lǐng)域研究的熱點之一。
　　 本文首先闡述了SiGe器件的特點與優(yōu)勢，說明SiGe器件的研究意義，隨后介紹了國內(nèi)外有關(guān)SiGe器件的發(fā)展歷史與近期有關(guān)的科研進展，以及主要的問題，并提出了自己的設(shè)計思想。對SiGe材料的性質(zhì)、HBT基本理作了說明。在器件結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，本文采用雙臺面結(jié)構(gòu)、雙發(fā)射區(qū)和雙集電區(qū)，器件的基區(qū)采用雙隔離層。在器件制備工藝方面，利用分子束外延工藝技術(shù)制備器件，重點介紹了最新的分子束外延技術(shù)(MBE)、增強等離子