SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管研究——一種平面集成多晶發(fā)射極SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管部分工藝因素影響的研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代移動通信以及微波通信的發(fā)展，人們對半導(dǎo)體器件的高頻以及低噪聲等性能要求日益提高。傳統(tǒng)的硅材料器件已經(jīng)無法滿足這些性能上新的要求，而GaAs 器件雖然可以滿足這些性能，不過它的高成本也讓人望而卻步。鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的高頻以及噪聲性能大大優(yōu)于硅雙極晶體管，可媲美 GaAs 器件，而且它還可以與傳統(tǒng)的硅工藝兼容，大大降低制造成本，所以鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管在未來的移動通信等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。 本文的一個(gè)重點(diǎn)是對鍺硅

2、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的器件結(jié)構(gòu)做了分類介紹并對器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行系統(tǒng)的整理總結(jié)。 本文的另一個(gè)重點(diǎn)是通過仿真以及實(shí)驗(yàn)分別驗(yàn)證了砷在 810℃的低溫工藝下的激活率跟 1000℃下一致，在鍺硅基區(qū)中摻雜碳對硼擴(kuò)散的抑制作用以及采用選擇性集電極注入提高器件性能的作用。 最后本文用軟件對 SiGe HBT 的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了模擬，并結(jié)合實(shí)際的工藝條件對器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。研制了一種平面集成多晶發(fā)射極鍺硅異質(zhì)結(jié)晶體管。經(jīng)測量，在室溫下