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1、本文主要研究了太陽(yáng)電池用直拉硅片中氧碳含量對(duì)太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率的影響.主要工作包括三個(gè)部分:首先研究了不同溫度的熱退火對(duì)于硅片氧碳含量和少子壽命的影響,然后將熱處理過(guò)程應(yīng)用于常規(guī)太陽(yáng)電池的制備工藝,制出太陽(yáng)電池.比較兩種工藝過(guò)程太陽(yáng)電池的性能.作為該項(xiàng)研究的先期工作,首先以p型(100)太陽(yáng)電池用直拉硅片為實(shí)驗(yàn)樣品,摸索出熱退火的最佳處理溫度;然后用常規(guī)工藝制備了單晶硅太陽(yáng)電池,測(cè)試效率;結(jié)果發(fā)現(xiàn)用經(jīng)過(guò)熱處理的硅片襯底制備的太陽(yáng)電池比
2、用沒(méi)有經(jīng)過(guò)熱處理的硅片襯底制備的太陽(yáng)電池其效率有明顯改善.將太陽(yáng)電池樣品分別用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)做減反射膜,用FG(Forming Gas)燒結(jié),測(cè)試電池性能,發(fā)現(xiàn)用PECVD處理后電池效率有所提高,用FG燒結(jié)后同樣有所改善.其次,研究了太陽(yáng)電池用硅片中碳的熱行為以及熱處理過(guò)程中碳對(duì)硅片中氧沉淀和少子壽命的影響.其主要目的是通過(guò)不同溫度的熱處理,發(fā)現(xiàn)碳對(duì)氧沉淀
3、影響的規(guī)律,以及熱處理過(guò)程中硅片樣品少子壽命的變化.作為本文的主要內(nèi)容,對(duì)影響太陽(yáng)電池光衰減的主要因素-硼、氧進(jìn)行了研究.文中首先介紹了摻硼單晶硅太陽(yáng)電池的光照衰減問(wèn)題及衰減機(jī)制,然后以p型摻硼單晶硅為實(shí)驗(yàn)樣品,經(jīng)過(guò)不同溫度的熱處理,對(duì)影響光衰減的主要因素硼、氧進(jìn)行了研究.上述研究工作表明:為了避免光衰減,提高硅片少子壽命,應(yīng)該選擇低氧濃度的硅片,并降低硼的摻雜濃度,即:使用高阻材料制作太陽(yáng)電池.上述工作對(duì)研究太陽(yáng)電池用直拉硅片中氧碳含
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