2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、a-Si：H材料因原子結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)程無序使其成為準(zhǔn)直接帶隙材料，其光吸收系數(shù)比晶體硅大得多，是太陽電池理想的光吸收材料。但a-Si：H材料大量的懸掛鍵等缺陷態(tài)和難以克服的光致衰退效應(yīng)等成為發(fā)展非晶硅材料的主要障礙。
　　 為深入理解a-Si：H材料的能帶結(jié)構(gòu)等因素對(duì)光生載流子的產(chǎn)生、輸運(yùn)、復(fù)合等微觀過程的影響，在Mott-Davis模型的基礎(chǔ)上,建立了基于pin結(jié)構(gòu)的a-Si：H薄膜太陽電池的理論模型，采用數(shù)值模擬的方法，在AMPS

2、-1D程序環(huán)境下，對(duì)其進(jìn)行理論計(jì)算。主要研究了非晶硅薄膜太陽電池本征i層厚度、前端接觸、帶尾態(tài)對(duì)太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響。通過模擬分析，得出以下結(jié)論：
　　 1、當(dāng)非晶硅薄膜太陽電池的i層厚度在200nm～400nm時(shí)，電池處于最高的工作狀態(tài)。
　　 2、非晶硅薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率隨帶尾態(tài)特征能量、帶尾態(tài)密度的增大而降低。當(dāng)ED≤0.05eV，EA≤0.03eV，GDO≤1018cm-3eV-1，GAO≤1021cm-3

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