超聲霧化CVD制備SnO2（F、Sb摻雜）透明導電膜及特性研究.pdf

1、本文以SnO2透明導電膜為研究對象，為了提高薄膜的電導率，可以進行適當?shù)膿诫s，現(xiàn)在一般選用F或者Sb作為摻雜。文中對于兩種摻雜的二氧化錫透明導電膜進行了研究，采用了超聲霧化噴涂（USP）化學汽相沉積（CVD）工藝。對于SnO2:F薄膜選用NH4F和HF酸摻雜。對于SnO2:Sb透明導電膜，采用SbCl3作為摻雜劑。對于SnO2:F透明導電膜，對薄膜的沉積工藝進行了研究，探索出最佳的工藝條件，譬如：溫度，源溶液中不同成分得最佳配比。沉積

2、出方塊電阻低達5歐/□左右的高透過率透明導電薄膜，其可見光平均透過率可以達到85％。分析了HF酸和NH4F摻雜的不同點。對在兩種最佳工藝條件下沉積的膜的結(jié)構(gòu)、電學性質(zhì)及表面形貌進行了對比和分析。以顯微鏡載玻片為襯底，采用USP-CVD工藝制備出SnO2:Sb薄膜。對襯底溫度，電學性質(zhì)進行了研究，得出制備較低方塊電阻的透明導電膜的最佳溫度和摻雜濃度。通過XRD分析，薄膜滿足SnO2的金紅石結(jié)構(gòu)，具有擇優(yōu)生長的特點。通過測量薄膜的光學透過