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文檔簡介
1、本論文敘述了用射頻磁控濺射的方法在玻璃襯底上低溫制備出高質(zhì)量的ZnO:Ga透明導電膜,并系統(tǒng)的研究了濺射功率,工作氣壓,薄膜厚度和退火處理對薄膜的結(jié)構(gòu),表面形貌以及光電特性的影響。本文可得出以下主要結(jié)論: 1.采用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上淀積出高質(zhì)量的ZnO:Ga透明導電膜。制備出的薄膜為多晶膜,具有六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)和(002)方向的擇優(yōu)取向。 2.隨著濺射功率的增大,衍射峰強度逐漸增加,半高寬減小。在濺射時間相同的條件
2、下,隨著濺射功率的增大薄膜厚度增加,薄膜晶化程度提高,晶粒逐漸增大,薄膜表面變的更加致密,結(jié)構(gòu)趨于完整。薄膜的電阻率隨濺射功率的增大而減小,電阻率的減小主要是由載流子濃度和霍爾遷移率的增大引起的。 3.不同濺射Ar氣壓下制備ZnO:Ga薄膜,薄膜的衍射峰強度隨著濺射Ar氣壓逐漸增加先增強后減弱,衍射峰的半高寬也是先減小后逐漸增大。當氣壓較小時沉積的薄膜晶粒大,而且粗糙度也大。當濺射壓力逐漸增大時,晶粒逐漸變小。 4.在玻
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