FRAM鐵電材料的微結(jié)構(gòu)與電性能研究.pdf

1、　　本論文正是針對(duì)以上問題而展開，以SBT和PZT鐵電薄膜材料為研究對(duì)象，緊緊圍繞材料的微結(jié)構(gòu)與電性能的關(guān)系這一主題，從理論和實(shí)驗(yàn)上進(jìn)行了材料的改性、薄膜生長(zhǎng)、電性能與薄膜尺寸及織構(gòu)的依賴關(guān)系、電疇及其與疲勞行為的關(guān)系等幾方面的研究，取得了一系列具有創(chuàng)新性的研究成果?！　”疚耐ㄟ^大量試驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)La3+摻雜可以提高SBT陶瓷材料的電性能，La3+引入后主要替代Bi3+，引起了晶格畸變，因而使電性能得到了提高。在多次重復(fù)實(shí)驗(yàn)中，觀察到了

2、W6+摻雜SBT陶瓷低頻低電場(chǎng)下的鋸齒狀電滯回線，馳豫角的物理意義說明，在高頻高場(chǎng)的條件下缺陷偶極子的擾動(dòng)作用不存在，因而不表現(xiàn)出鋸齒狀電滯回線。　　本文實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)PZT薄膜的矯頑場(chǎng)與薄膜粒徑呈拋物線性關(guān)系，且薄膜厚度對(duì)拋物線型有影響，薄膜越薄，拋物線曲率越大。在考慮了電疇動(dòng)力學(xué)的貢獻(xiàn)之后，成功地模擬了矯頑場(chǎng)與粒徑的拋物線性關(guān)系，解決了由朗道理論計(jì)算的矯頑場(chǎng)與尺寸無關(guān)、比實(shí)驗(yàn)值大幾個(gè)數(shù)量級(jí)的問題。理論分析表明，拋物線的曲率由薄膜厚度