Nd：YAG激光照射制備SiC納米晶須的研究.pdf

1、激光加工,以激光作為熱源,具有瞬時高能量密度輸出及超快加熱效應,已在納米材料制備領域獲得廣泛重視。激光與材料相互作用時,空間呈高斯分布,并形成梯度分布的溫度場,使得材料制備亦呈現(xiàn)梯度分布。
　　 本文以Nd:YAG激光為熱源,以SiC納米顆粒材料為前驅體,進行了激光照射下納米SiC顆粒原位生長晶須的試驗。通過對比Nd:YAG激光器與CO2激光器,探索SiC晶須在激光照射下穩(wěn)定生長的工藝參數(shù)及生長機理。所完成的主要工作如下:

2、>　　 1.對比分析CO2激光與Nd:YAG激光在波長、空間分布、激光工作模式及材料吸收率方面的異同。
　　 2.以CO2激光為例,簡化激光束為基模高斯光束,建立激光照射納米SiC模型,并使用Ansys軟件對該過程溫度場進行仿真分析。分析溫度場可用于指導試驗中激光參數(shù)的選擇。
　　 3.以Nd:YAG激光作為熱源,采用激光與材料照射表面相互垂直的方式,進行納米SiC顆粒照射試驗,優(yōu)化參數(shù)配置,進而找出最優(yōu)參數(shù)組合。同時