氧化釩熱敏感材料的制備及微橋結構設計研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文以高純金屬釩作為靶材,采用磁控濺射工藝制備氧化釩薄膜.并分析了濺射功率,基片溫度和濺射氣氛等對薄膜方阻值的影響.分析表明當氧含量增加時,薄膜方阻顯著增加.濺射功率一方面影響氧和釩的結合程度,另一方面又明顯影響薄膜的生長速率及薄膜的厚度,所以在其它工藝條件固定的情況下,出現了方阻極大值.基片溫度的變化直接影響膜層的生長及特性,可以明顯地改善薄膜的機械強度和附著力,而且隨著基片溫度的升高,在磁控濺射過程中各個價態(tài)的釩容易向高價的釩進行轉

2、換.并且發(fā)現方阻為45-60KΩ的薄膜比方阻為15-25KΩ有較強的相變特征.通過樣品XPS分析得到在固定基片溫度,濺射功率和氬流量后,隨著氧流量的增加,四價釩和低價態(tài)釩在各態(tài)釩中含量比例存在一直增大的趨勢,但當達一定的值后再增加氧含量,四價釩和低價釩的含量增加的趨勢變緩.首次在國內成功的制備出比較完整的VOx非制冷紅外焦平面器件的微橋結構,在微橋結構制備過程中,犧牲層應采用光敏性的聚酰亞胺,在PECVD上用特殊工藝制作的光敏性聚酰亞胺

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