鈮酸鋰晶體的暗電導(dǎo)研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、鈮酸鋰晶體(LiNbO3,簡(jiǎn)稱LN)是一種非常重要的多功能晶體材料,因?yàn)閮?yōu)良的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性;突出的聲光、電光、非線性光學(xué)等性能;并且它生長(zhǎng)材料來源豐富、價(jià)格低廉、容易生長(zhǎng)成大尺寸。因而它在非線性光學(xué)、光波導(dǎo)、光開關(guān)和光儲(chǔ)存等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用,人們對(duì)它的特性進(jìn)行了深入的研究。
   目前國(guó)內(nèi)的研究集中在摻雜鈮酸鋰晶體上,摻雜大大改善了晶體性能,提供了晶體的豐富多彩的性質(zhì)和廣闊的應(yīng)用前景。純的鈮酸鋰晶體是摻雜

2、的基礎(chǔ),本征缺陷和非本征缺陷影響晶體內(nèi)載流子遷移和復(fù)合,尤其是晶體的暗電導(dǎo)受本征缺陷的數(shù)量和本征缺陷產(chǎn)生的電子遷移影響很大。本文通過實(shí)驗(yàn)對(duì)不同[Li]/[Nb]比純的鈮酸鋰晶體的研究,分析了不同[Li]/[Nb]對(duì)純的鈮酸鋰晶體暗電導(dǎo)的影響。建立相應(yīng)的電子遷移模型,為晶體的摻雜提供理論基礎(chǔ)。針對(duì)以上問題,本文以鋰空位為基礎(chǔ),對(duì)不同[Li]/[Nb]組分的純鈮酸鋰晶體的暗電導(dǎo)進(jìn)行研究,主要包括以下幾個(gè)方面的工作:
   一.對(duì)Li

3、NbO3晶體的晶體結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)進(jìn)行分析,明確純的LiNbO3晶體基本性質(zhì)和晶格結(jié)構(gòu),為下面工作提供基礎(chǔ)。
   二.對(duì)LiNbO3晶體本征缺陷和非本征缺陷結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,以鋰空位作為本文研究的基礎(chǔ),分析了缺陷離子在晶體中的能級(jí)結(jié)構(gòu),晶體的缺陷對(duì)純的鈮酸鋰晶體暗電導(dǎo)的影響。
   三.利用外加電場(chǎng)的方法,對(duì)通過三種純鈮酸鋰晶體樣品的電流進(jìn)行測(cè)量。通過數(shù)據(jù)處理得出電導(dǎo)隨溫度變化的規(guī)律,分析了這種差別的可能原因,建立相應(yīng)條件下

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