釕系鈮酸鋰晶體的全息存儲(chǔ)性能研究.pdf

1、體全息存儲(chǔ)技術(shù)因其存儲(chǔ)容量大、傳輸速度快和信息不易丟失等優(yōu)點(diǎn)成為全息存儲(chǔ)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。適合體全息存儲(chǔ)的材料為Fe:LiNbO3晶體,但其響應(yīng)速度慢和抗光損傷能力弱等缺點(diǎn)限制了Fe:LiNbO3晶體在全息存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展。為了提高響應(yīng)速度和抗光損傷能力,在Fe:LiNbO3晶體中摻入了抗光損傷離子(Mg和Zn)。釕作為一種新型敏感離子也摻入到Fe:LiNbO3晶體中。采用提拉法生長不同摻鎂量的Mg:Ru:Fe:LiNbO3晶體和不同摻鋅量

2、的Zn:Ru:Fe:LiNbO3晶體。生長的晶體無裂紋、無生長條痕等宏觀缺陷,光學(xué)均勻性好。
　　 采用X-射線粉末衍射圖譜、OH-紅外透射光譜和紫外可見吸收光譜實(shí)驗(yàn)研究摻雜LiNbO3晶體的缺陷結(jié)構(gòu)。通過X-射線粉末衍射圖譜得到晶格常數(shù),利用晶格常數(shù)的變化分析離子(Mg和Zn)在摻雜LiNbO3晶體中的占位情況；通過OH-紅外吸收峰位置的移動(dòng)研究離子的閾值濃度和占位情況,當(dāng)OH-紅外吸收峰移動(dòng)到3535(3529)cm-1附近

3、,鎂(鋅)離子摻量達(dá)到閾值濃度,Mg和Zn開始占據(jù)正常的鈮位；通過紫外可見基礎(chǔ)吸收邊位置的移動(dòng)分析摻雜離子的占位情況。
　　 分別以波長476nm、532nm和633nm的激光作光源,采用二波耦合技術(shù)測量摻雜LiNbO3晶體的光折變?nèi)⒋鎯?chǔ)性能。通過透射光斑畸變法和散射閾值能量流法測量摻雜LiNbO3晶體的抗光損傷能力。采用以氪激光器為記錄光,氦氖激光器為探測光測量了摻雜LiNbO3晶體非揮發(fā)全息存儲(chǔ)性能,并對(duì)摻雜LiNbO3晶