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文檔簡介
1、體全息存儲技術因其存儲容量大、傳輸速度快和信息不易丟失等優(yōu)點成為全息存儲領域的研究熱點。適合體全息存儲的材料為Fe:LiNbO3晶體,但其響應速度慢和抗光損傷能力弱等缺點限制了Fe:LiNbO3晶體在全息存儲領域的發(fā)展。為了提高響應速度和抗光損傷能力,在Fe:LiNbO3晶體中摻入了抗光損傷離子(Mg和Zn)。釕作為一種新型敏感離子也摻入到Fe:LiNbO3晶體中。采用提拉法生長不同摻鎂量的Mg:Ru:Fe:LiNbO3晶體和不同摻鋅量
2、的Zn:Ru:Fe:LiNbO3晶體。生長的晶體無裂紋、無生長條痕等宏觀缺陷,光學均勻性好。
采用X-射線粉末衍射圖譜、OH-紅外透射光譜和紫外可見吸收光譜實驗研究摻雜LiNbO3晶體的缺陷結構。通過X-射線粉末衍射圖譜得到晶格常數(shù),利用晶格常數(shù)的變化分析離子(Mg和Zn)在摻雜LiNbO3晶體中的占位情況;通過OH-紅外吸收峰位置的移動研究離子的閾值濃度和占位情況,當OH-紅外吸收峰移動到3535(3529)cm-1附近
3、,鎂(鋅)離子摻量達到閾值濃度,Mg和Zn開始占據正常的鈮位;通過紫外可見基礎吸收邊位置的移動分析摻雜離子的占位情況。
分別以波長476nm、532nm和633nm的激光作光源,采用二波耦合技術測量摻雜LiNbO3晶體的光折變全息存儲性能。通過透射光斑畸變法和散射閾值能量流法測量摻雜LiNbO3晶體的抗光損傷能力。采用以氪激光器為記錄光,氦氖激光器為探測光測量了摻雜LiNbO3晶體非揮發(fā)全息存儲性能,并對摻雜LiNbO3晶
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