射頻磁控濺射法制備N(xiāo)iZnCo鐵氧體磁性薄膜的微觀組織與性能研究.pdf

1、江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文射頻磁控濺射法制備N(xiāo)iZnCo鐵氧體磁性薄膜的微觀組織與性能研究姓名：徐小玉申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：鋼鐵冶金指導(dǎo)教師：趙玉濤20050607江蘇大學(xué)碩士學(xué)位論文濺射氣壓為1O10～Pa，濺射功率為120W，基片一靶材的間距為65mm。由于濺射過(guò)程中得到的薄膜都是非晶態(tài)，必須經(jīng)后退火處理進(jìn)行晶化處理。經(jīng)后退火處理后，薄膜中的氧成份明顯變多，主要是由于濺射過(guò)程中部分氧元素缺失，后退火處理正好使薄膜的成份趨于正分，薄膜的晶

2、粒更為細(xì)化和致密，薄膜表面質(zhì)量得到明顯的改善。磁滯回線測(cè)試和分析結(jié)果表明：NiZnCoFe20dSi02復(fù)合薄膜的矯頑力很小，約為517kA／m左右，飽和磁化強(qiáng)度為3784kA／m左右，具有較好的軟磁性能。由于Co元素?fù)诫s和非鐵磁性相二氧化硅的存在等因素的影響，飽和磁化強(qiáng)度在退磁場(chǎng)中下降緩慢。相同濺射工藝條件下，硅基片上的薄膜和玻璃基片上的薄膜矯頑力都很小，但前者的飽和磁化強(qiáng)度比較大：經(jīng)后退火處理，薄膜的矯頑力變小，飽和磁化強(qiáng)度增大，軟