磁控濺射法制備ITO薄膜的結構及光電性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、透明導電氧化物（TCO）薄膜因具有透明和導電兩大特性，廣泛應用于太陽能電池、平面顯示器、透明電磁屏蔽、節(jié)能視窗等領域。目前有多種工藝可用來制備透明導電薄膜，例如：磁控濺射法、化學氣相沉積法、噴霧熱分解法、真空蒸發(fā)法以及近年來發(fā)展起來的可大面積成膜的溶膠-凝膠（Sol-Gel）法等制膜工藝。當前，顯示技術越來越趨向于柔性化、超薄化，這大大促進了人們對柔性TCO薄膜的研究，其中在低軟化點的柔性襯底上低溫制備優(yōu)質(zhì)的ITO薄膜，已經(jīng)成為國際上的

2、熱門研究課題。 本文采用直流磁控濺射鍍膜工藝在普通的載玻片（7.6cm×2.5cm×0.1cm）上制備了ITO透明導電薄膜，并對ITO薄膜的制備工藝及特性進行研究。濺射鍍膜用靶材為純度99.99％的ITO材料，其中In2O3：SnO2的質(zhì)量比為90％：10％，采用直流磁控濺射法淀積在載玻片上的薄膜厚度約為200nm。對制備出的薄膜在大氣環(huán)境下進行了等時（1.5h）變溫（100℃，200℃，300℃，400℃）熱處理。利用XRD，

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