LCD中COF互連工藝及可靠性研究.pdf

1、金-金熱壓工藝在鍵合過程中會產(chǎn)生芯片開裂(IC cracking)，為了從根本上解決此問題，利用ANSYS軟件，運用有限元模擬方法研究了金-金熱壓工藝中鍵合力對芯片內(nèi)部Al壓焊塊應(yīng)力分布的影響，得出應(yīng)力集中點位置與芯片開裂點位置一致。為了降低應(yīng)力集中，模擬了撓性基板上印制線寬度分別為25μm和17μm時，在相同鍵合力和相同單位面積鍵合力情況下對芯片損傷情況，發(fā)現(xiàn)小印制線寬度在相同單位面積鍵合力情況下在Al壓焊塊中應(yīng)力集中較小，并經(jīng)實驗驗

2、證，小印制線寬度情況下能消除芯片開裂現(xiàn)象。分析了實際工藝過程中在不同偏移容差情況下，印制線寬度分別為20μm和10μm的撓性基板對Al壓焊塊內(nèi)應(yīng)力集中的影響。并根據(jù)實際制樣設(shè)備偏移容差的正態(tài)分布，擬合出不同印制線寬度的撓性基板對鍵合機鍵合偏移容差不同的要求，以避免產(chǎn)生芯片開裂現(xiàn)象。得出的結(jié)論為偏移容差為5μm的機器適用于10μm印制線寬度的撓性基板。而20μm印制線寬度的撓性基板對5μm和10μm的偏移容差來說變化不劇烈。由于17μm接

3、近20μm，并且在對準情況下沒有出現(xiàn)芯片開裂的現(xiàn)象，所以對于偏移容差為5-10μm內(nèi)的鍵合機都用來鍵合17μm印制線寬度的樣品。 本文用金-金熱壓，金-錫熱壓和金-錫非導(dǎo)電膜三種COF工藝進行制樣，制樣單位1000。發(fā)現(xiàn)金-錫非導(dǎo)電膜工藝存在較為嚴重的COF失效。對三種COF工藝制備的樣品進行AHT，TST，AHTO加速實驗以測試其可靠性。分析可靠性測試數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)濕氣對NCF工藝的接觸電阻的影響較大，用四點法對金-金非導(dǎo)電膜樣品的