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1、該文采用了當(dāng)前最為先進(jìn)的微機(jī)械加工技術(shù).利用犧牲層方法,結(jié)合半導(dǎo)體平面工藝,設(shè)計(jì)制出了一種具有柵型結(jié)構(gòu)的慣性敏感電容.通過(guò)有限元分析與模擬仿真,解決了傳感器動(dòng)態(tài)性能設(shè)計(jì)中的有關(guān)問(wèn)題,使制出樣品性能與理論設(shè)計(jì)分析十分接近,為今后此類傳感器的研究發(fā)展提供了實(shí)際可行的方法;在工藝設(shè)計(jì)方面,充分考慮了敏感電容制造工藝可能給后續(xù)電路制造工藝帶來(lái)的污染,采用了多晶硅材料,使其制造工藝方法與半導(dǎo)體工藝相兼容,使后續(xù)測(cè)量及信號(hào)轉(zhuǎn)換電路完全設(shè)計(jì)制造在同一
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