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文檔簡介
1、半導(dǎo)體納米晶在不斷發(fā)展和完善的功能化納米材料與器件中扮演著極為重要的角色,而納米材料的合成更是納米材料領(lǐng)域的重要課題之一。半導(dǎo)體納米晶顯示出了不同于本體材料的量子尺寸效應(yīng),已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于太陽能電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、發(fā)光二極管、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。在這些半導(dǎo)體材料中,CuInSe2、Cu2SnSe3等Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ、Ⅰ-Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度與太陽光譜相匹配,高理論轉(zhuǎn)換效率、高光吸收系數(shù)、直接禁帶、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此成為了很有發(fā)展前
2、景的下一代太陽電池;ZnSe是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為2.7ev,對(duì)于可見光波段的吸收較小,生長過程中需要的溫度比較低,是一種很好的替代毒性CdS作為太陽能電池緩沖層的材料。
本論文采用了熱注射法制備了(CuInSe2)x(ZnSe)1-x、(Cu2SnSe3)x(ZnSe)1-x多組分半導(dǎo)體合金納米晶,通過XRD、EDS、UV-via、XPS、TEM等表征手段對(duì)樣品的結(jié)構(gòu),元素組成,微觀結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性
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