真空陰極弧制備納米復(fù)合Zr-C-N薄膜的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、在本文中，我們利用真空陰極弧沉積技術(shù)對(duì)Zr-N-C薄膜進(jìn)行了制備與研究，將獨(dú)立的Zr靶和CH2在氮?dú)猸h(huán)境下同時(shí)放電可以制備出Zr-N-C復(fù)合薄膜。結(jié)果表明薄膜由ZrN、ZrC以及ZrxC1-xN多相組成。由于固溶強(qiáng)化、混晶強(qiáng)化以及晶格畸變等因素的共同作用，薄膜的硬度比單純ZrN薄膜有較大的提高；該復(fù)合薄膜表現(xiàn)出理想的斷裂韌性以及與基體的結(jié)合效果。
　　 在Zr靶放電的同時(shí)結(jié)合熱燈絲離化的CH2和N2混合氣體制備了Zr-N-C復(fù)合

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