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1、 本論文研究的主要內(nèi)容就是采用CO2反應(yīng)法在氫化鋯表面建立氫滲透阻擋層(防氫滲透層),該方法可歸為化學(xué)氣相沉積(CVD)這一類(lèi)。通過(guò)加熱氫化鋯、高純二氧化碳和磷,在設(shè)定的工藝參數(shù)下,通過(guò)反應(yīng)氣體在氫化鋯表面吸附、離解,然后通過(guò)元素?cái)U(kuò)散和反應(yīng)生成致密的膜層。本論文還對(duì)CO2反應(yīng)法得到的氫滲透阻擋層的防氫滲透機(jī)理做了深入分析,通過(guò)XPS分析表明在700℃加熱保溫?cái)?shù)小時(shí)后,膜層中重新生成了一部分新的C-H鍵、O-H基團(tuán)(可能O-H又和鋯形成
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