表貼式功率MOSFET封裝技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、表貼式功率MOSFET是表面組裝電路中最重要的電子元件之一。隨著電子制造業(yè)和電子信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,小型化、微型化的半導體器件已越來越成為現(xiàn)代電子技術發(fā)展的重點,各半導體器件生產(chǎn)企業(yè)對功率分立器件的新型封裝結構的研究開發(fā)也越來越重視。由于電子產(chǎn)品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度,對表面貼裝器件的需求也越來越迫切,該類器件的研發(fā)已成為當務之急。本課題來源于中國振華集團永光電子有限公司表貼式功率MOSFE

2、T封裝技術研究及應用項目。課題研究的目的是對表貼式功率MOSFET封裝技術進行研究并應用于生產(chǎn),最終替代國外同型號產(chǎn)品。本論文正是針對上述問題,以1N60型表貼式功率MOSFET的封裝技術為主要的研究對象,在深入分析封裝及使用的失效機理基礎上,找出影響產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性的關鍵問題,對材料、封裝結構和封裝工藝問題作了創(chuàng)新性和探索性研究。主要內(nèi)容為:1.詳細研究了粘片空洞對器件熱性能的影響。粘片采用軟焊料粘片工藝,所存在的主要問題是粘片空洞。

3、一定面積的空洞存在,容易使粘片區(qū)產(chǎn)生較大的接觸電阻,從而產(chǎn)生局部高溫,導致器件受過熱應力的作用失效。為解決這一問題,研究采用導流槽新技術來減少空洞。2.詳細研究了器件焊線(鍵合)過程對器件的損傷及其失效機理。焊線采用了冷超聲鋁絲楔焊工藝技術,其主要難點是預防彈坑。彈坑是在鍵合過程中造成鋁層下的半導體材質(zhì)受損而留下的小洞,直接導致MOSFET被物理擊穿而失效。經(jīng)過多次對失效器件的分析,發(fā)現(xiàn)導致彈坑出現(xiàn)的各種因素,因此,研究提出焊線工藝彈坑

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